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对于传统的 KD*P 电光调制晶体，BBO(偏硼酸钡β -BaB2O4)晶体具有极低的吸收系数，弱的压电振铃效应，更宽的光谱透过范围（210-2000nm）等优点。相 对于RTP 电光 调制晶体，BBO 晶体具有更高的消光比、 抗损伤阈值和温度时应系，有利于提高激光输出 功率 稳定性。因此，由BBO 晶体制成的电光Q开关常被应用 于高重复频率（高达800KHz）， 高功率（高达900W）的电光调Q 激光器，腔倒空调Q 激光器和全固态皮秒、 飞秒再生放大系统中。
| 通光口径 | 最大 φ 12mm， 最小φ 2mm |
| 尺寸公差 | ± 0.1mm |
| 平行 | ≤20 arc seconds |
| 垂直度 | ≤5 arc minutes |
| 光洁度 | 20-10 |
| 平面度 | λ/10 @ 633 nm |
| 角度公差 | Δθ≤0.25°, Δφ≤0.25° |
| 倒边 | ≤0.2mmx45° |
| 崩边 | ≤0.1mm |
| 损伤阈值 | > 800MW/cm2 at 10Hz |
| 波长范围 | 200-2000nm |
| 消光比 | >2000:1 |
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